买卖IC网 >> 产品目录49248 >> 2SK4181-TL-E MOSFET N-CH 525V 7.5A ZP datasheet 分离式半导体产品
型号：

2SK4181-TL-E

库存数量：可订货
制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
描述：MOSFET N-CH 525V 7.5A ZP
RoHS：无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
2SK4181-TL-E PDF下载
产品目录绘图 ZP Package P-Channel & N-Channel Top
标准包装 1
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 525V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 7.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 920 毫欧 @ 3.7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） -
闸电荷(Qg) @ Vgs 24nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 600pF @ 30V
功率 - 最大 70W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 3-SMD，扁平引线
供应商设备封装 ZP
包装 标准包装
产品目录页面 1536 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 869-1091-6
相关资料
属性
链接
代理商 2SK4181-TL-E
2SK4195LSTK5A50D
2SK4196LS
2SK4196LS-1E
2SK4196LSTK5A50D
2SK4197FS
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  • 2SK4181-TL-E 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价